APTM10HM19FT3G Microchip Technology Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: 4 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 70A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 200nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 5100pF @ 25V
Potencia - Máxima: 208W
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: SP3
Paquete de dispositivo del proveedor: SP3
Número de producto base: APTM10