SI5922DU-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 765pF @ 15V
Potencia - Máxima: 10.4W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: PowerPAK® ChipFET??Dual
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® ChipFet Dual
Número de producto base: SI5922