MSCSM170DUM23T3AG Microchip Technology Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Característica FET: Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1700V (1.7kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 124A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.2V @ 5mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 356nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6600pF @ 1000V
Potencia - Máxima: 602W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: SP3F
Número de producto base: MSCSM170