SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 280pF @ 15V
Potencia - Máxima: 1W
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-µDFN (2x2)
Número de producto base: SSM6N55