NTMFD1D4N02P1E onsemi Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Potencia - Máxima: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-PQFN (5x6)
Número de producto base: NTMFD1