FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC??
Paquete: Tray
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 200A (Tj)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5.55V @ 80mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 496nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 14700pF @ 800V
Potencia - Máxima: 20mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: AG-EASY2BM-2
Número de producto base: FF6MR12