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SI4670DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 8A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 680pF @ 13V
Potencia - Máxima: 2.8W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOIC
Número de producto base: SI4670

Datasheet

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