HP8S36TB Rohm Semiconductor Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 27A, 80A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 47nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6100pF @ 15V
Potencia - Máxima: 29W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-HSOP
Número de producto base: HP8S36