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SQ1912AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 800mA (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 27pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1.5W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor: SC-70-6
Número de producto base: SQ1912

Datasheet

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