Fabricante: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 15A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.1V @ 35µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 54nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2245pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1.7W
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: DirectFET??Isometric SA
Paquete de dispositivo del proveedor: DIRECTFET??SA
Número de producto base: IRL6297
