GE17080CDA3 GE Aerospace Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: GE Aerospace
Serie: SiC Power
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET: Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 765A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.23mOhm @ 765A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 160mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2414nC @ 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 58000pF @ 900V
Potencia - Máxima: 2350W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(Tc)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module