Fabricante: NXP Semiconductors
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 320mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 50pF @ 10V
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
