DMN2008LFU-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 14.5A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 42.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1418pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-UFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: U-DFN2030-6 (Type B)
Número de producto base: DMN2008