HTMN5130SSD-13 Diodes Incorporated Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.6A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 218.7pF @ 25V
Potencia - Máxima: 1.7W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SO
Número de producto base: HTMN5130