SIS590DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N and P-Channel
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: -
Potencia - Máxima: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: PowerPAK® 1212-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® 1212-8 Dual