SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVIII-H
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate, 4V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 290pF @ 15V
Potencia - Máxima: 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-TSOP-F
Número de producto base: SSM6N815