SI3900DV-T1-E3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: -
Potencia - Máxima: 830mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-TSOP
Número de producto base: SI3900