BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??T2
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 20A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 28µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 55nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4020pF @ 30V
Potencia - Máxima: 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TDSON-8-4
Número de producto base: BSC112