SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 200mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 17pF @ 25V
Potencia - Máxima: 150mW
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor: ES6
Número de producto base: SSM6N7002