PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc. Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N and P-Channel Complementary
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 600mA, 500mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 950mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 21.3pF @ 10V
Potencia - Máxima: 265mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-XFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN1010B-6
Número de producto base: PMCXB900