SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.2V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 6.74nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 480pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-WDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-µDFN (2x2)
Número de producto base: SSM6P69