SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 800mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 177pF @ 10V
Potencia - Máxima: 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor: UF6
Número de producto base: SSM6N62