UPA2792AGR-E1-AT Renesas Electronics America Inc Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 42nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2200pF @ 10V
Potencia - Máxima: 2W
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerSOIC (0.173\ 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP