GE12160CEA3 GE Aerospace Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: GE Aerospace
Serie: SiC Power
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET: Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.425kA (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 475A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 480mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 3744nC @ 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 90000pF @ 600V
Potencia - Máxima: 3.75kW (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(Tc)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: -