SIR770DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 8A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.8V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 900pF @ 15V
Potencia - Máxima: 17.8W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base: SIR770