SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 16A, 28A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 790pF @ 15V
Potencia - Máxima: 29W, 100W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-PowerPair® (6x5)
Número de producto base: SIZ918