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UT6J3TCR Rohm Semiconductor Transistores - FETs MOSFETs - Matrices

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: 2 P-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2000pF @ 10V
Potencia - Máxima: 2W
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-PowerUDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: HUML2020L8
Número de producto base: UT6J3
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