RN2107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistores bipolares (BJT) de prepolarización simple

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100 mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50 V
Resistencia - Base (R1): 10 kOhms
Resistencia - Base Emisor (R2): 47 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Corriente de corte del colector (máx.): 500nA
Potencia - Máxima: 150 mW
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor: VESM