NTE2358 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) de prepolarización simple

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100 mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50 V
Resistencia - Base (R1): 22 kOhms
Resistencia - Base Emisor (R2): 22 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Corriente de corte del colector (máx.): 500nA
Frecuencia - Transición: 200 MHz
Potencia - Máxima: 300 mW
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92S