PDTA113EU,115 NXP USA Inc. Transistores bipolares (BJT) de prepolarización simple

Fabricante: NXP USA Inc.
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100 mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50 V
Resistencia - Base (R1): 1 kOhms
Resistencia - Base Emisor (R2): 1 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA
Corriente de corte del colector (máx.): 1µA
Potencia - Máxima: 200 mW
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SC-70, SOT-323
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-323