RN2305(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores bipolares (BJT) de prepolarización simple

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Cut Tape (CT)
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100 mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 50 V
Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistencia - Base Emisor (R2): 47 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente de corte del colector (máx.): 500nA
Frecuencia - Transición: 200 MHz
Potencia - Máxima: 100 mW
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SC-70, SOT-323
Paquete de dispositivo del proveedor: SC-70
Número de producto base: RN2305