MJD112-1G onsemi Transistores bipolares (BJT) simples

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN - Darlington
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 2 A
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 100 V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Corriente de corte del colector (máx.): 20µA
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Potencia - Máxima: 1.75 W
Frecuencia - Transición: 25MHz
Temperatura de funcionamiento: -65°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor: I-PAK
Número de producto base: MJD112