Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: PNP
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 12 A
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 80 V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 6A
Corriente de corte del colector (máx.): 5µA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Potencia - Máxima: 2 W
Frecuencia - Transición: 50MHz
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220SIS
