2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores bipolares (BJT) simples

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: PNP
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 15 A
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 230 V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Corriente de corte del colector (máx.): 5µA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Potencia - Máxima: 180 W
Frecuencia - Transición: 30MHz
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-3PL
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-3P(L)
Número de producto base: 2SA1987