NTE227 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) simples

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100 mA
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 300 V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 1V @ 2mA, 20mA
Corriente de corte del colector (máx.): 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V
Potencia - Máxima: 850 mW
Frecuencia - Transición: 200MHz
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-237AA
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-237