NTE190 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) simples

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 1 A
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 180 V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 200mA
Corriente de corte del colector (máx.): 100µA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V
Potencia - Máxima: 10 W
Frecuencia - Transición: 35MHz
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-202 Long Tab
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-202N