NTE105 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) simples

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: PNP
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 40 V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 300mV @ 2A, 12A
Corriente de corte del colector (máx.): 8mA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 20 @ 5A, 2V
Potencia - Máxima: 150 W
Frecuencia - Transición: -
Temperatura de funcionamiento: -65°C~100°C(TJ)
Tipo de montaje: Stud Mount
Paquete/Caja: TO-36 (2 Leads + Case)
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-36