NTE126A NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) simples

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: PNP
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 11.5 V
Saturación de Vce (máx.) a Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Corriente de corte del colector (máx.): 100µA
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V
Potencia - Máxima: 150 mW
Frecuencia - Transición: 300MHz
Temperatura de funcionamiento: -65°C~100°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-18