4MN10CH-TL-E onsemi Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 200V
Frecuencia - Transición: 400MHz
Figura de ruido (dB típico a f): -
Ganar: -
Potencia - Máxima: 600mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100mA
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SC-96
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-CPH