BFP843H6327 Infineon Technologies Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 2.25V
Frecuencia - Transición: -
Figura de ruido (dB típico a f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz
Ganar: 24.5dB
Potencia - Máxima: 125mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 55mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SC-82A, SOT-343
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-343