BF888H6327 Infineon Technologies Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 4V
Frecuencia - Transición: 47GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Ganar: 27dB
Potencia - Máxima: 160mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 250 @ 25A, 3V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 30mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SC-82A, SOT-343
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-SOT343-4-2