2SC5751-T2-A Renesas Electronics America Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 6V
Frecuencia - Transición: 15GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 1.7dB @ 2GHz
Ganar: 16dB
Potencia - Máxima: 205mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 50mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-343F
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-343F