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BFR750L3RHE6327 Infineon Technologies Transistores bipolares (BJT) - RF

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 4.7V
Frecuencia - Transición: 37GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Ganar: 21dB
Potencia - Máxima: 360mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 160 @ 60mA, 3V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 90mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SC-101, SOT-883
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TSLP-3

Datasheet

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