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NE662M04-T2-A Renesas Transistores bipolares (BJT) - RF

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Renesas
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Last Time Buy
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 3.3V
Frecuencia - Transición: 25GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 1.1dB @ 2GHz
Ganar: 17dB
Potencia - Máxima: 115mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 35mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-343F
Paquete de dispositivo del proveedor: M04

Datasheet

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