NTE108-1 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 15V
Frecuencia - Transición: 600MHz
Figura de ruido (dB típico a f): 6dB @ 60MHz
Ganar: 15dB
Potencia - Máxima: 625mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 50mA
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-106-3 Domed
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-106