2SC5455-T1-A Renesas Electronics America Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 6V
Frecuencia - Transición: 12GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 1.5dB @ 2GHz
Ganar: 10dB
Potencia - Máxima: 200mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 100mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: TO-253-4, TO-253AA
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-143