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MPSH10 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

MPSH10 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

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Descripción de sus requisitos

Detalles de producto Reseña(0)
Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 25V
Frecuencia - Transición: 650MHz
Figura de ruido (dB típico a f): -
Ganar: -
Potencia - Máxima: 350mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Temperatura de funcionamiento: -65°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole

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