BFR949L3E6327 Infineon Technologies Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 10V
Frecuencia - Transición: 9GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
Ganar: 21.5dB
Potencia - Máxima: 250mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 50mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SC-101, SOT-883
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TSLP-3-1