BFP182WE6327 Infineon Technologies Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 12V
Frecuencia - Transición: 8GHz
Figura de ruido (dB típico a f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Ganar: 22dB
Potencia - Máxima: 250mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): 35mA
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SC-82A, SOT-343
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-SOT343-4