MPSH17 NTE Electronics, Inc Transistores bipolares (BJT) - RF

Fabricante: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo de transistor: NPN
Voltaje - Ruptura colector-emisor (máx.): 15V
Frecuencia - Transición: 800MHz
Figura de ruido (dB típico a f): 6dB @ 200MHz
Ganar: 24dB
Potencia - Máxima: 350mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.): -
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92 (TO-226)